国内厂商作为全球光伏逆变器行业领军者，为碳化硅器件国产化提供便利条件： 近年来光伏逆变器市场格局发生巨大变化，国内逆变器厂商从追随者转变为领军者。根据伍德麦肯兹数据， 2020 年在全球逆变器出货排名前十中，有六家来自中国的供应商，分别是华为、阳光电源、古瑞瓦特、锦浪科技、上能电气和固德威。华为逆变器出货量占全球的 23%，位列第一；阳光电源的出货量占全球的 19%，位列第二。据 Wood Mackenzie 数据，华为和阳光电源均已累计出货超过 100GW，逐渐走向领军地位。 碳化硅功率器件是光伏逆变器中的关键部件，价值量占比较高，国内光伏逆变器市场的发展将带来碳化硅器件需求增长。

采用碳化硅方案可有效提高光伏逆变器转换效率、提升功率密度、减少重量和体积: 碳化硅光电性能优越，SiC 的带隙宽度大约是硅的 3 倍，其导热率为硅的 3.3 倍，宽禁带使得其可在高温环境下稳定运行，较高的导热系数意味着碳化硅的器件可以缩小冷却结构，减小系统重量和体积，如碳化硅二极管在开通过程中可基本实现零正向恢复电压，在关断过程中没有过剩载流子复合过程，可以减小逆变器恢复损耗、提高开关效率。根据产业调研， 采用碳化硅方案的光伏逆变器， 整体系统效率可提升 1%-2%左右，能量损耗降低 50%以上，体积和重量减少40%——60％左右，大幅降低系统度电成本及安装维护成本。

现阶段主要采用硅基 IGBT+碳化硅 SBD 方案， 碳化硅成本下降空间大，未来 5 年有望在光伏领域渗透率加速提升： 碳化硅 MOS 方案能够明显提升发电效率，但由于目前碳化硅模块价格仍为硅基 IGBT 的 3-4倍， 成本高昂，现阶段业内多采用硅基 IGBT+碳化硅 SBD 混合方案，以 SiC SBD 替换 FRD 来降低恢复损耗、提高电源效率。 根据各光伏逆变器龙头公司官网，国际大厂纷纷布局碳化硅方案，如英飞凌、安森美、富士电机等国际大厂已经实现了规模化应用，国内阳光电源也在2014 年推出第一款采用 SiC MOSFET 器件的光伏逆变器，并于 2017 年规模化应用。随着碳化硅生产技术的成熟，碳化硅成本将进一步下降，采用碳化硅方案提升转换效率所创造的价值将抵消碳化硅成本，提高碳化硅在光伏领域的渗透率。据产业调研，随着碳化硅成本的下降，2025 年 SiC 在光伏逆变器领域的渗透率有望达 30%-50%， 我们预计其在光伏及储能领域有近七十亿级别市场，前景广阔。

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