据22日报道，日前从工信部等权威部门获悉，为推进《国家集成电路产业推进纲要》落地，我国将针对集成电路先进工艺和智能传感器创新能力不足等问题，出台一系列政策“组合拳”，加速多个重点关键产品和技术的攻关，以此促进我国集成电路产业的快速健康发展，并缩小我国集成电路产业和世界先进水平的差距。

据介绍，我国继续组织实施“芯火”创新计划，打造一批集成电路产业创新平台，推动技术、人才、资金、市场等产业要素集聚；推动建设智能传感器国家级创新中心建设，打造8英寸共性技术开发平台，攻克高深宽比加工技术、圆片级键合等关键技术；加快组建IC先进工艺国家级创新中心建设，攻关5纳米及以下工艺共性技术等；指导信息光电子创新中心落实建设方案，重点建设Ⅲ-Ⅴ族高端光电子芯片、硅光集成芯片、高速光器件测试封装等产品工艺平台，攻关400G硅光器件等关键技术；加快落实印刷及柔性显示创新中心建设方案，开展大尺寸印刷、量子点印刷等关键技术研发，实现样机开发研制；继续落实《国家集成电路产业推进纲要》，推动重点关键型号CPU、FPGA等重大破局性部署。