通信行业:5G建设带动化合物半导体国产化扬帆
核心观点:
第 28 周,通信(中信)指数收益为 9.82%,沪深 300 指数收益为 8.03%
第 28 周通信(中信)指数涨幅位列全行业第 11 名。个股中,富春股份、东软载波等涨幅靠前;*ST 信通、奥维通信跌幅靠前。
第 28 周观点:5G 建设将带来以 InP(磷化铟)、GaAs(砷化镓)为代表的第二、第三代半导体材料的需求倍增。化合物半导体衬底主要应用于光通信激光器、射频 PA、LED 等领域,5G 数据流量剧增将驱动移动互联、基站、IDC 将增量需求。参考 Yole 预测,2020 年化合物半导体市场空间达 440 亿美元,2016-2020 年 CAGR 达 12.9%,增速远超整个半导体产业。目前大规格、高品质 InP、GaAs 单晶衬底基本为海外厂商垄断,国产化替代空间广阔。当前 GaAs 衬底市场主要被少数海外龙头占据,主要玩家有日本住友电工、德国 Freiberg、美国AXT、日本住友化学等。随着 5G 建设推进,下游器件逐步国产化转移,国内相关产业链未来替代空间广阔。
长期观点:疫情催生线上应用需求,或加速 5G 建设,看好 5G 建设启动带来的产业链投资机会。通过复盘 03 年运营商的资本开支,发现 03年上半年受疫情影响,资本开支略低于预期,但 03 年下半年出现补足性增长,全年资本开支基本不受影响。因此,我们认为疫情对今年资本开支的负面影响有限。另一方面,由于疫情造成的居家隔离现象,大量5G 在线应用(如在线教育、在线医疗等)的需求大规模增加,或将加速 5G 建设的迫切性,因此今年资本开支存超预期可能。
投资建议:(1)长期逻辑建议关注:中兴通讯(A+H 股);(2)受益传输网建设建议关注:华工科技、烽火通信、星网锐捷。(3)关注前端射频器件和芯片国产化替代背景下,国内具备 InP、GaAs 单晶衬底生产技术相关上市公司的投资机会,相关标的:云南锗业等。