事件点评

因为英特尔 14 纳米 x86 CPU 短缺可能持续到明年第一季度，而造成某些特定客户开始清除因之前担心涨价而多建的库存，加上美国提高关税的不利影响，美光预期第四季度销售环比衰退 2-6%而低于市场预期。而我们认为比特币价格下跌造成的中低阶挖矿机需求不振，及新兴市场货币贬值造成的中低阶手机销售不佳，加上 3D NAND 转到96 层及 DRAM 转到 19 纳米以下制程工艺的产能增加，我们预估明年内存 DRAM 和闪存 NAND 将会有 3-5%的供过于求，价格下行趋势确立，而将造成 2019 年整体存储器芯片产业同比衰退 5-9%及全球半导体产业同比衰退 1-4% 。 我 们 的 预 估 比 DRAMeXchange 对 明 年 存 储 器芯 片 产 业 5% 的 同比 成 长 预估 来 的 悲 观许 多， 但DRAMeXchange 上周五也下修今年第四季度的 DRAM 合约价格预期，从 1-3%价格环比下跌下修到 5%的价格下跌。虽然存储器价格下行趋势确立，但我们预估此次下行趋势应不超过 18 个月，英特尔 14 纳米 x86 CPU 短缺状况应会于明年中之前改善， 10 纳米 x86 CPU应于明年下半年量产， AMD 7 纳米 x86 CPU, 7 纳米挖矿机及智能手机， 5G 手机都将于明年出笼而对存储器半导体产生正面影响。因此我们预估大多数的内闪存存储器半导体公司会面对营业利润率从近 50%的高档下滑，但却不至于步入亏损，因此我们不预期主流存储器会将大量产能转入利基型NOR 和 SLC NAND 闪存市场而造成其价格崩跌， NOR 和 SLC NAND 闪存领导厂商旺宏，华邦，兆易创新，武汉新芯将持续将产品转为价格及获利较好的高密度 NOR 和 SLC NAND，而让相关厂商同比获利衰退幅度相对较小。但此下行趋势对明年即将量产的中国主流存储器芯片大厂长江存储, 合肥长鑫，福建晋华当然是雪上加霜。

投资建议

中 国大陆/台湾重点关注公司：兆易创新，长江存储，南亚科技

全球重点关注公司： SK 海力士，美光