碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料：碳化硅材料的禁带宽度大约为硅材料的三倍，且硅材料的极限温度不足碳化硅材料的二分之一，这些物理特性使得碳化硅材料更好地应用于高压、高温环境。此外，相比于硅基器件，同性能的碳化硅器件尺寸更小、重量更轻、能量损耗更少。在高温、高压、高频领域，碳化硅将逐步替代硅器件，如5G通讯基站、轨道交通、特高压输电、新能源汽车等领域。

碳化硅优异的性能符合下游市场的新兴需求，以新能源汽车为例，采用碳化硅器件可延长电动车的行驶里程、缩短电动车的充电时间以及扩大电池容量等，越来越多的新能源汽车企业布局碳化硅器件使用。

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CREE公司占据垄断地位，国产替代进展加速：目前碳化硅晶片产业格局呈现美、欧、日系公司主导、美国优势显著的特点。以导电型产品为例，CREE公司占据一半以上市场份额，剩余份额大部分被日本和欧洲的其他碳化硅企业占据。2019年全球碳化硅产量70%-80%来自美国；2020年上半年SiC晶片，美国CREE公司出货量占据全球SiC晶片45%份额。国际龙头企业半导体发展先于国内几十年的时间，具有技术积累优势，但是第三代半导体碳化硅产业仍处于初期阶段，国内企业与国外巨头差距较小，有望追赶。我国碳化硅晶体研究经过十多年的自主研发，国内市场先后涌现天科合达、山东天岳等优秀自主制造企业，逐步掌握2-6英寸碳化硅晶体制造技术，打破碳化硅晶片制造国际垄断。并且天科合达、山东天岳产品在很多关键技术参数上达到国际领先水平，可与美国CREE公司、贰陆公司等直接竞争。国内企业相继推出产能扩张计划，来满足国内巨大的新兴领域碳化硅器件需求。

投资建议：建议关注山东天岳、三安光电、露笑科技、凤凰光学、天科合达。