投资要点

　 刻蚀系半导体制造关键步骤，不同技术各有优势。刻蚀已经成为半导体晶圆制造中的关键步骤，在半导体制造中重要性凸显。按照刻蚀工艺划分，其主要分为干法刻蚀以及湿法刻蚀。干法刻蚀占主导地位。干法刻蚀的最大优势在于能够实现各向异性刻蚀，即刻蚀时可控制仅垂直方向的材料被刻蚀，而不影响横向材料，从而保证细小图形转移后的保真性。干法刻蚀的刻蚀机的等离子体生成方式包括 CCP（电容耦合）以及 ICP（电感耦合）。而由于不同方式技术特点的不同，他们在下游擅长应用领域上也有区分。

工艺升级带动刻蚀机用量增长，技术壁垒极高。从近年来各主要半导体设备资本开支量占比来看，刻蚀机份额占比有显著提升，目前其占比已经提升至 22%甚至更高。刻蚀设备由于晶圆代工以及存储产线工艺优化，带来刻蚀工艺需求的持续提升，而不同于其他设备，刻蚀设备技术并未出现明显分化，不同技术各有侧重。但是在这样多种技术存在的情况下，行业集中度依然较高，并且不同企业擅长技术也有所区别。这体现了该行业极高的壁垒。

刻蚀设备有望率先完成国产替代。目前来看，刻蚀机尤其是介质刻蚀机，是我国最具优势的半导体设备领域，也是国产替代占比最高的重要半导体设备之一。中微公司产品在业内较为领先，工艺节点已经达到 5nm，并且已经得到台积电的验证，公司整体介质刻蚀及出货量已经超过 50 台，北方华创在硅刻蚀机中处在国产替代加速阶段，目前能够生产 28nm 的硅刻蚀机，14nm 目前也在研发和小范围试产过程中，带动刻蚀机持续替代，另外国内存储产线兴建以及大基金的持续投入，预计刻蚀设备有望率先完成国产替代。

投资建议：整体看，刻蚀设备是半导体设备领域中最优质的赛道：第一，刻蚀设备在晶圆制造中的使用广泛，市场空间大；第二，代工厂以及存储厂生产工艺的革新带动刻蚀设备的使用大大增加，刻蚀设备资本开支占比显著提升；第三，我国在刻蚀设备领域的技术成熟度相较其他主要设备（光刻机、薄膜沉积等） 更优。另外，随着半导体下游应用领域越来越广，半导体相关资本开支持续加码，叠加国内政策以及大基金的大力扶持，预计刻蚀设备将是率先实现国产替代的重要半导体设备。

建议关注国内介质刻蚀龙头企业中微公司，以及在硅刻蚀及其他半导体设备中持续发力的北方华创。