从2016年第二季度开始，以SSD固态硬盘为代表，包括固态硬盘、内存条、优盘甚至闪存卡在内的整个内存行业，开始缓慢涨价。进入2017年后，涨价的势头并没有停止，整个存储行业反而掀起了新一轮的大幅涨价潮。

2015年~2016年上半年，120G/240G的SSD价格一度降至299元/399元，而512G的SSD也有不少低至599元。不过，好景不长，自2016年下半年开始，SSD的价格出现全面上调，涨幅超过市场预期。

近日，《每日经济新闻》记者通过线下走访十多家销售商家以及采访业内人士了解到，固态硬盘等存储产品大幅涨价的原因是供需失衡。但也有部分业内人士认为，此轮涨价背后并非完全由市场供需决定，也不排除部分NAND Flash供应商有意为之的可能。

供应端：主要厂商暂无增产计划

从供应端看，目前全球范围内从事NAND闪存颗粒的厂商有很多，但能够有市场定价能力的只有六家，他们分别是三星(Samsung)、东芝(Toshiba)、英特尔(Intel)、海力士(SKhynix)、美光(Micron)和闪迪(SanDisk)，这些企业很多在中国有生产企业，几乎垄断了全球大部分闪存市场。

从行业看，今年三星、东芝、美光、海力士等主要的内存大厂都没有增产计划，而是进行制程转换，目的是将主要产能从2D NAND制程转向生产3D NAND.2017年，三星新工厂Fab 17和Fab 18都将投入V-NAND生产，3D技术也将向64层提升。

中国闪存市场China Flash Market预计三星V-NAND生产比重在2017年一季度可达到45%，二季度将达到50%以上，在3D NAND爆发元年将有很大的市场竞争优势。

英特尔在2016年第三季度开始试产32层3D NAND，预计2017年中期转至64层量产；而2016年美光32层3D NAND MLC版本单Die容量32GB，TLC版本容量48GB，是目前除原厂品牌之外，市场3D SSD的主要货源之一，在3D NAND技术上，美光选择了跨过48层NAND闪存，计划在2017年直接量产64层 NAND颗粒；海力士自然也不例外，2017年海力士计划提升至72层3D NAND量产，公司将在一季度推出样品，并于二季度开始小批量生产，从堆叠层数来看，已经赶上甚至反超竞争对手。

虽然各个厂商都力图提高制程，但在切换的过程中，3D NAND量产严重不足，良率过低，而2D NAND产能也在下滑，这种局面造成全年内存都面临缺货的状况，供不应求也导致内存价格一路飙升。

行业咨询机构DRAM eXchange的数据显示，NAND闪存在2017年一季度供货依然紧张，NAND闪存芯片的平均价格在一季度上涨了20%~25%

长城证券在6月初的《电子元器件》周报的标题就是，“NAND闪存颗粒依旧供求，全球范围闪存价格持续上涨 ”。该周报认为，“要等到所有的闪存原厂在3D制程上实现了完全突破，良率获得大幅提升，几大原厂能够在同样的技术和成本体系下进行竞争，当前存储产品涨价情形可能会得到缓解。通过我们从市场了解到的情况来看，大部分闪存原厂都是在2017年开始量产基于最新堆叠层数的3D NAND技术产品，量产的产品经过最终封装和分发到存储厂商手中，然后经由存储厂商进行产品方案的选择和最终推出到市场，可能还会经历一段时间。因此当前的涨价趋势可能还会持续半年以上。”

需求端：智能手机和服务器需求大增

在需求端，对于存储产品的需求越来越大，包括中国企业大量切入的智能手机市场、无人机市场，以及服务器市场。

首先是智能手机等数码产品容量的提升。目前，智能手机、笔记本、平板电脑等设备一直向大容量迈进，苹果、三星、华为、OPPO、VIVO等品牌的手机出货量都在千万级别，也加剧了闪存颗粒的稀缺。

二是由于目前固态硬盘技术越来越成熟、稳定，固态硬盘开始大规模应用在服务器市场。事实上，在传统的存储行业，一直存在着消费级市场和服务器级市场。一般来说，新兴的存储技术在消费级存储市场得到了充分验证，保证技术上的稳定后，服务器级市场便会开始大规模应用。

在固态硬盘技术处于2D NAND时代，服务器级市场几乎很少使用固态硬盘作为存储介质，但随着3D NAND Flash从无到有、从32层向64层堆叠，越来越多的服务器级市场开始进行产品的更新换代。而此前，Intel官方还在公开场合宣布，随着3D Xpoint的成熟，Intel将在2017年优先生产高速增长的数据中心应用的固态硬盘，而不是低成本的消费级固态硬盘。

三是新的应用需求出现，包括物联网、云计算、智能家庭和智能建筑，以及自驾车、无人机和机器人等新应用的流行，NOR Flash(非易失闪存技术)作为储存驱动程序码的储存装置被大量应用。但在扩产有限，需求不减反增的情况下，价格势必持续上扬。

日韩供应商默契涨价？

虽然市场方面认为内存大幅上涨的原因无非就是供需失衡，但也有部分业内人士对记者表示，此轮涨价背后并非完全由市场供需决定，也不排除部分NAND Flash供应商有意为之的可能——“很难说这是不是部分日韩供应商默契的涨价行为。”

自去年下半年三星发生了Galaxy Note 7“爆炸门”事件以及实际掌门人受到腐败指控后，唱衰三星的声音不绝于耳。在外界看来，这些事件将导致三星的利润出现大幅下滑，但结果却出人意料。

4月27日，三星公布了2017第一季度的财报，公司取得50.55万亿韩元收入，同比增长1.5%；营业利润9.90万亿韩元，同比增长48.2%；而净利润为7.68万亿韩元，同比大涨46.3%。

事实上，三星今年首季度利润大增得益于三星半导体业务的贡献，其半导体部门营业利润为6.31万亿韩元，同比大增139.9%；设备解决方案部门营业利润为7.59万亿韩元，同比暴涨225.8%，但IT和移动通信部门的营业利润仅为1.07万亿韩元，锐减46.8%。

一些分析师认为，2017年的内存供应将会持续紧张，随着NAND、DRAM的继续涨价，三星的利润还将被推高。来自韩国IBK的分析师 Lee Seung-woo曾表示，三星今年第二季度的运营利润可达12.1万亿韩元，折合110亿美元。

可以说，半导体业务将为三星今年的业绩立下“汗马功劳”，正因如此，三星也在积极巩固其在NAND Flash市场的竞争优势。三星电子于6月15日宣布已经开始大量生产64层256Gb V- NAND，被称为第四代VNAND。三星目前V-NAND占整体NAND Flash产能的70%以上，随着64层V-NAND(3D垂直闪存)进入量产，V-NAND产能比重将更高，并不断扩大在服务器、PC和移动设备等领域的应用。

针对外界认为部分日韩供应商“默契”涨价的观点，《每日经济新闻》记者联系了三星方面，不过截至发稿，尚未获得回应。

上述三星固态硬盘旗舰店的门店负责人表示，三星Fab 18工厂已经在6月份投入生产64层V-NAND，三星还计划基于64层V-NAND在第三季度推出UFS3.0新品，以及推出M.2和2.5英寸规格形态的SSD产品。与48层256Gb V-NAND相比，新的64层256Gb V-NAND将提高30%以上的生产效率。此外，64层V-NAND是2.5V输入电压，与使用48层VNAND的3.3V相比，能量效率提高了约30%。

产业观察家洪仕斌认为，闪存颗粒的核心优势并不掌握在中国企业手中，而国际大厂的垄断也会导致“坐地起价”。其中，三星必须在核心部件中找出盈利空间来弥补其在智能手机、彩电等领域的营收下滑。