行业动态:

2018年VR头戴装置将达4,300万台:资策会MIC日前在2017资通讯产业趋势回顾预估2018年全球VRHMD出货量将达到4,300万台,相较于今年将成长3,000万台以上。

2020年中国将消耗全球四成NANDFlash:DRAMeXchange预估2017年中国市场所消耗的NANDFlash量将占全球30%以上,2020年将占全球逾40%。

英特尔正式发布第七代酷睿处理器:芯片巨头英特尔正式发布了全新第七代酷睿处理器,这一代处理器的微架构代号为KabyLake,主要是用于代替2015年发布的第六代酷睿芯片的Skylake微架构。

Skylake架构基于14nm工艺制程,功率和性能提升明显。

台积电将推出GaN快充芯片:台积电协同合作伙伴戴乐格半导体(DialogSemiconductor),将于明年第1季推出首颗氮化镓(GaN)手机快充晶片,该晶片具备体积缩小、效能提高、充电时间减半等优势,适用于手机及平板等行动快充。

核心观点:电子行业中报业绩喜人,逾7层公司收入实现增长:A股电子元器件行业172上市公司公布2016年中报,其中111家净利润同比增长,61家下降,132家营业收入同比增长,40家下降,净利润和营业收入同时增长的公司有英唐智控等96家,利润收入均下降的有同洲电子等25家,业绩增幅翻倍的公司有32家,其中麦达数字净利润增幅最大,达7185.73%。

国内NAND闪存市场需求增长强劲,将加速闪存芯片国产化进程:日前,闪存产业的指标性展会──2016年全球闪存高峰会(2016FlashMemorySummit)在北京落幕,该峰会已经连续两年在中国举行。TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)预估2017年中国市场所消耗的NANDFlash量将占全球30%以上,2020年消耗量将占全球逾40%,显示出国内NAND闪存市场需求的快速增长。

国内快速发展的市场需求,引来全球NAND闪存公司的注意。韩国三星在中国西安投资的NAND工厂已经投产,主要产品为3DNAND闪存;英特尔(Intel)也把大连的封测工厂改造成NAND工厂,预计2016年底开始小量生产,主力产品很有可能为3DXPoint闪存。

与此同时,国家政策也在大力助推国内存储器产业向前发展。此前总投资1600亿元的国家存储器基地已经正式落户武汉,长江存储科技有限责任公司于7月26日正式成立,武汉新芯成为其全资子公司。8月24日,湖北武汉市政府与紫光集团在北京签署《全面战略合作框架协议》,双方将围绕国家存储器基地项目建设、集成电路产业发展基金、新IT“云—网—端”全产业链等领域开展全方位合作。

我们认为,在强劲的国内市场需求和国家政策及资金的支持下,国内存储器产业将迎来快速发展期,从设计到生产再到封装测试全产业链的国产化进程将加速向前进行。建议关注产业链相关标的:紫光国芯(002409)、兆易创新(603986)、上海新阳(300236)、七星电子(002371)、深科技A(000021)、华天科技(002185)、长电科技(600584)、通富微电(002156)。