CCZ 技术,光伏单晶硅技术的重大变革。当前广泛使用的单晶硅生长技术为RCZ 技术,最高达到一炉4~5根晶棒拉制,已接近上限。CCZ技术可实现一炉8~10根晶棒拉制,效率进一步提升、成本大幅降低,且拉制晶棒均匀性好、含氧量低、电阻率均衡,产品质量更加优良,是单晶硅生长技术的趋势性变革。

CCZ 技术已诞生超过20年。长期以来,两大问题困扰CCZ 技术大规模生产:1)CCZ 技术对于复投料质量要求高,需要使用高品质颗粒料;

2)坩埚使用寿命短,限制了CCZ 技术复用次数。目前,FBR(硅烷流化床法)可制备高品质颗粒料,通过特殊设计的高品质坩埚可达到CCZ技术使用寿命要求,这两项问题的突破使得CCZ 技术推广成为可能。

国外CCZ 技术仅有少数企业实现工业生产,协鑫有望成为国内领跑者。目前国外仅有美国的SunEdison、GT-AT 等个别企业实现了CCZ技术的工业生产。用于生产CCZ 技术原料的FBR 颗粒硅也仅少数国外企业实现了量产。保利协鑫能源2017年3月完成收购美国SunEdison的相关资产,从而获得了了CCZ 及FRB 的技术专利。公司4月公告将在云南曲靖建设20GW 单晶硅产能,计划投资90亿元。

协鑫是我国多晶硅龙头企业,拥有24GW 多晶硅产能。近年来,随着金刚石切片技术的推广,单晶硅制备成本大幅下降,与多晶硅相比性价比优势显现,单晶硅组件占比大幅上升。在此背景下,协鑫实行“单多晶并行”战略,通过收购SunEdison 资产站在CCZ 技术制高点,有望引领单晶硅生长工艺变革,掀起新一波产能竞赛大潮。

硅片厂产能竞赛,设备商将受益订单迎来快速增长期。根据公司公告,截至2018年底,单晶硅领先者隆基将具备28GW 单晶硅产能,且其计划2020年达到45GW;中环将具备23GW 产能。协鑫当前仅具有1GW 产能,但其大举进军意图明显。据我们测算,采用CCZ 技术建设1GW 单晶硅产能,约需硅生长炉100~125台,按照单台设备150万测算,设备总价值约为1.5~1.88亿元。考虑切磨抛等辅助设备,1GW 设备投资超2亿元,设备商将受益扩产订单快速增长。