3DNAND产能逐步释放，2020年中国有望赶上国际:三星电子本周宣布，位在首尔南方的新芯片厂施工进度顺利，将如期于2017上半年投产。据三星表示，新芯片厂主要用于生产高容量3DNAND闪存，新厂第一阶段施工目前已完成九成。由于2DNANDFlash在技术推进上已遇发展瓶颈，上游原厂全力调拨产能转进3DNAND。东芝上个月宣布BiCSFLASH3D闪存试样出货，SK海力士于近日透露正在积极推进72层3DNAND技术的发展，美光第二代3DNAND也于去年底顺利送样。一直以来，NAND闪存芯片被三星、东芝、SK海力士、美光等少数公司垄断，中国公司在此领域话语权较弱。去年，紫光公司主导的长江存储科技公司投资240亿美元建设12寸晶圆厂，直接切入3DNAND闪存市场。长江存储3DNAND晶圆厂的安装设备将在2018年第一季度完工，2019年全速量产，预计2020年会在技术方面赶上国际领先的闪存公司。

高通骁龙835亚洲首亮相，手机芯片市场竞争激烈:高通近日在北京举行了骁龙835芯片的亚洲首场发布会。骁龙835是高通首次采用10纳米FinFET工艺节点的产品，其体积更小，封装尺寸减少35%左右；功耗更低，降低了25%；而在能效方面更为出色，CPU和GPU性能提升25%至27%。值得注意的是，骁龙835的命名由“处理器”变更为“平台”，集成了LTE、CPU、GPU、DSP等技术和组件，支持千兆级LTE网络，覆盖了笔记本电脑、智能手机、平板电脑、VR等多重应用领域。除骁龙835以外，2017年先后还会有4颗10纳米制程的芯片问世，分别是联发科HelioX30、海思的Kirin970、苹果用于iPad的A10X、以及三星的Exynos8895。此外，展讯去年推出的14纳米八核64位LTE芯片平台SC9861G-IA，瞄准中端市场，小米也推出28nm澎湃S1芯片，主要针对入门级智能手机市场。根据StrategyAnalytics数据显示，高通2014年市占率为52%，2016上半年已降至39%。

上周电子板块表现回顾:本周大盘微幅上行，沪深300指数上涨1.27%。其中，申万电子指数上涨2.47%，跑赢沪深300指数1.20个百分点；中信电子元器件指数上涨2.81%，跑赢沪深300指数1.54个百分点。

一周行业重点回顾:深度报告*鸿利智汇*LED量价齐升，车联网雏形初现*强烈推荐；年报点评*华东科技*平板项目营收增长，转型初现成效*推荐；事项点评*鸿利智汇*完成员工持股，长期价值凸显*强烈推荐。

投资组合表现:17年年初以来投资组合累计投资盈利3.57%，跑输沪深300指数1.85个百分点，跑输申万电子元器件指数4.59个百分点，跑输中信电子元器件指数5.85个百分点。