紫光集团也计划投资120多亿美元用于建造新的存储芯片厂，以及进行半导体业务并购。紫光将建造一家存储芯片厂，并进行更多并购交易。紫光集团曾试图收购美国存储芯片制造商美光科技，但未成功。紫光集团对于发展存储器业务决心坚定，董事长赵伟国曾公开表示，紫光未来将投资300亿美元主攻存储器芯片制造。

武汉新芯是我国存储器芯片的拓荒者，此前主要生产各种类型的NOR闪存，长期为占有全球NORFLASH市场50%以上的美国飞索公司代工，是全球主要的NORFLASH代工厂商之一。至今年3月28日，正式启动在武汉东湖新区总投资达240亿美元的存储器基地项目，致力于研究生产NANDFLASH和DRAM。为保证该项目顺利实施，国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北省集成电路产业投资基金股份公司、国开发展基金有限公司、湖北省科技投资集团有限公司共同出资作为股东，在武汉新芯的基础上组建一家存储器公司作为存储器基地项目实施主体公司。武汉新芯计划5年投资240亿美元建设NAND和DRAM芯片制造，及其产业链配套。预计在2020年形成月30万片的产能，到2030年建成月产能100万片的产能。公司已经取得飞索(Spansion)半导体的授权，32层堆叠产品有望于2017年上市销售。

中国建造先进存储芯片工厂的两大主要项目进行合并，有利于整合双方优势资源。紫光集团资金充沛，并于去年已经取得中国唯一DRAMIC设计公司西安华芯的控股权，及华亚科前董事长高启全的加入。而武汉新芯目前已经具有2万片/月的12寸厂产能，并且拥有中芯国际等制造企业背景的高管，对产线及工艺具有较为丰富的实操经验。两者联合，将在包括技术及生产团队、资金等方面都发生良性反应。同时，也加大了公司与技术授权来源美光的谈判优势，一定程度上有望加速获得如美光的第三方技术授权，缩短与三星、SK海力士等厂商的技术差距。

而美光方面，或也有可能接受由中国提供资金建厂，美光授权技术的合作模式来生产NANDFLASH。有如下几个原因:1.美光有可能倾向与授权NANDFLASH，而保持自己的优势市场DRAM的寡占格局，由于寡占格局较为稳固，故不太可能贸然扩产引发价格战；2.NANDFLASH的需求旺盛，包括三星、东芝、SK海力士皆在扩充3DNANDFLASH的产能，美光借此机会有维持市占率，并集中自有资金进行研发的益处；3.美光在技术及产能上与三星和海力士等竞争者相比并无大优势，且后面一年的营运预估现金约在30亿美元左右，接近公司本身的历史低位，并不充沛，扩产较为艰难。因此，美光或有采用合作的需求。

国内两大存储器顶级资源集团，紫光与武汉新芯的整合，对于我国试图在寡占存储器市场上形成突破，具有明显的积极意义，尤其将加速美光对中国的技术转移，将推动国家存储器战略的落地。